片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺，使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延（MBE）生长的外延材料，Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级。剥离半绝缘GaAs（GaAs SISI-GaAs）衬底层与Al0.9Ga0.1As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物（COP）键合的结构。原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑，表面粗糙度（RMS）为2.28nm，EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分，满足光刻形成光电导开关的要求