基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器

单个器件输出功率不满足系统要求时, 功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器, 最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比, 尽量增大薄膜电阻的面积, 并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板, 提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真, 加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 dB, 回波损耗优于-15 dB, 隔离度优于10 dB.经对比, 实测结果与仿真结果吻合, 具有较好的工程应用价值