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红外与毫米波学报 2016
（英）一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析Keywords: 单光子雪崩二极管（SAPD） 边缘击穿（PEB） 互补金属氧化物半导体（CMOS） Abstract: 基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性
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