InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究

通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响。理论结果显示InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿、降低隧穿暗载流子产生速率、提高雪崩击穿几率。实验结果显示顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率，其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5E15/cm^3的器件高3%～8%，而暗计数率低一个量级。结果表明降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能