MgxNi1-xMn2O4薄膜结构与电学特性研究

采用化学溶液沉积法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4(MNM, x=0, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20)薄膜.通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响,MNM薄膜均匀致密,具有良好的结晶性,为单一立方尖晶石结构.MNM薄膜的变温电流-电压特性研究显示,MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型,同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率、特征温度T0和负电阻温度系数α. 研究结果表明,Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响