镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征

采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO) 透明导电薄膜，通过 X 射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析，研究了沉积温度对 GaMgZnO 薄膜微观结构和电光性能的影响．结果显示: 所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点，其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关．当沉积温度为 550 K 时，GaMgZnO 薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm) 、晶格应变最小(1.11×10-3)、位错密度(3.73×10-3line·m-2) 、电阻率最低(1.63×10-3 Ω·cm) 、可见光区平均透过率(82．41%) 、品质因数最大(5.06×102 Ω-1·cm－1) ，具有最好的结晶质量和光电综合性能．另外采用光学表征方法 获得了薄膜样品的光学能隙， 结果表明由于受 Burstein-Moss 效应的影响，GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值