硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器

基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统（micro-electro-mechanical-systems，MEMS）加工工艺，并结合耦合系数设计方法，选用终端开路式交指结构，实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程，并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明，所制造的滤波器中心频率为3.96 GHz，频率误差为2.6%，通带内插入损耗约4 dB，驻波比小于1.2，相对带宽为20.7%，器件整体尺寸为7.0 mm×7.8 mm×0.8 mm，器件质量小于0.1 g，具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点，适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求