高性能976 nm宽条半导体激光芯片

设计并制作了波长为976 nm的宽条大功率半导体激光芯片。采用非对称宽波导外延结构设计及金属有机化学气相外延技术生长了低损耗、高效率的外延材料。制备了190 μm发光区宽度、4 mm腔长、976 nm波长的半导体激光芯片，并将其封装为COS器件。测试结果表明：封装器件在室温下的阈值电流为1.05 A，斜率效率为1.12 W/A，最高电光转换效率可达到68.5%; 在40 ℃、19.5 W功率输出时的电光转换效率可以达到60%; 9个器件在40 ℃和15 A电流下老化4740 h后，无一失效，而且老化前后的功率-电流曲线和光谱没有变化，证明该激光芯片具极高的稳定性和可靠性。