磁导率近零太赫兹超材料设计的仿真分析

提出了一种以金属-电介质复合结构为基本单元的磁导率μ近零的太赫兹超材料。在太赫兹波垂直入射的情况下，当电场为横磁偏振时，在1.44 THz谐振频率附近，可得到μ实部的最优值为0，μ近零的带宽(|μ|<0.05)约为0.2 THz；当电场为横电偏振时，在0.978 THz谐振频率附近，得到μ实部的最优值为0，μ近零的带宽(|μ|<0.05)约为0.1 THz。在固定的几何参数下，通过改变偏振方向可以实现该超材料在不同频段内的近零效果。分析了聚酰亚胺介质层厚度、金属层数以及入射角度对磁导率近零效果的影响，并讨论了该结构的容差范围。