室温脉冲激光沉积法合成Bi3.95Er0.05Ti3O12薄膜及其介电性能研究

采用脉冲激光沉积法, 室温条件下在透明导电玻璃衬底上制备了Bi3.95Er0.05Ti3O12(BErT)薄膜。研究结果表明, 低沉积氧气压下制备的BErT薄膜表面致密, 平整无裂缝, 且呈非晶结构; 当沉积氧气压为3 Pa时, BErT薄膜厚度约为180 nm, 表现出优秀的介电性能, 即当测试频率为1 kHz时, 室温介电常数为52, 介电损耗为0.025。同时, BErT薄膜的介电性能随频率、电压和温度的变化比较稳定, 在可见光区间具有较高的透过率。