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北京理工大学学报 2018
CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析DOI: 10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.011 Keywords: 抗辐射集成电路 双移位寄存器链 CMOS/SOI 单粒子效应 单粒子闩锁单 粒子翻转 Abstract: 针对定制设计中的触发器单元，提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法，利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器，分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明，该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫，而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力
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