基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究

本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真，并对比了两者的高频传输特性，结果显示在20GHz处，玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB，玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底，采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法，获得了深宽比为7：1的玻璃通孔，孔阵列均匀性良好，侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析，结果显示在小电流密度下，开口处的电流密度拥挤效应改善明显，铜层生长速度更为均匀，但沉积速度较慢.基于仿真结果，进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究，结果显示填充效果良好，120μm的TGV中铜层生长均匀，70μm的TGV中的缝隙较小