2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

2.5D集成技术（转接层技术）可以实现不同芯片间的异质集成，基于低阻硅通孔（TSV）的转接层利用了低阻硅的良好导电性，可以代替铜基硅通孔，具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真，在1 GHz时，回波损耗S11为-24.7 dB，插入损耗S21为-0.52 dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型，与电磁仿真结果对比，具有较好的一致性，可以实现在0.1~10 GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真，结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响，但是寄生电容的影响相对较小