不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

通过一性原理计算， 研究了替代位和间隙位Mg掺杂对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响. 结果表明， 替代位Mg掺杂导致ZnO带隙展宽， 而间隙位Mg掺杂ZnO形成n型半导体. 比较了纯ZnO和不同Mg掺杂位置MgZnO体系的分波和总电子态密度， 并解释了相应的电子结构和光学性质的差别. 发现替代位Mg掺杂和纯ZnO体系的光学特性差别较小， 而间隙位Mg掺杂导致ZnO光吸收边蓝移， 折射率减小， 而且在可见到近紫外光区域 (0到4.2 eV)， 具有比纯ZnO更好的光透过性.