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考虑一个简化的半导体能量输运稳态模型.在Dirichlet-Neumann混合边界条件下,利用截断方法和Leray-Schauder不动点定理得到了其模型弱解的存在性.研究结果表明,即使热导率与电子温度有关,如果欧姆联结部分的电子密度是正的,则半导体器件内部的电子密度也是正的.
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