纯相SnO2纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究

采用一步电沉积在氧化铟锡（ITO）导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料，通过改变沉积条件，研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明：当沉积电位为-0.9 V（vs.SCE），镀液温度为65℃，HNO3浓度为50 mmol/L时，所制备的SnO2纳米晶薄膜为纯相金红石型结构，且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明，该薄膜具有优异的光电性能，在可见光区透光率大于90%，带隙为3.75 eV，且电阻率为2.2×10-3 Ω·cm，载流子浓度为1.9×1020 cm-3，载流子迁移率为14.8 cm2/（V·s）。故所制备的SnO2纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料。