铜包覆多孔硅基材料p-Si@Cu(x)的制备与性能

摘要 在球形SiO2颗粒表面包覆适量的CuO，经还原得到铜包覆的多孔硅复合材料[p-Si@Cu（x）].利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和比表面积分析等手段对样品的组成、物相结构、微观形貌和孔结构进行分析，并初步研究了材料的循环性能和倍率性能.结果表明，铜包覆量x=0.05时，在100 mA/g电流密度下，样品的首次放电容量为3596.9 mA·h/g，首次充电容量为2590.7 mA·h/g，首次库仑效率为72.03%；在1C倍率下可逆容量为1004.9 mA·h/g，0.1C倍率下循环100周后的可逆容量仍为1706.5 mA·h/g，容量保持率为76.1%