波长检测型表面等离子体共振传感器对硫堇电聚合成膜的原位分析

摘要 利用波长检测型表面等离子体共振（SPR）传感器对硫堇在金膜表面的电化学聚合成膜过程进行了跟踪分析.结果表明，在固定入射角下SPR共振波长随循环伏安扫描周数的增加而线性红移，表明聚硫堇膜的生长是匀速的；扫描100周后共振波长红移总量为96.6 nm.对该实验结果进行理论拟合，得出聚硫堇膜的厚度约为71 nm.聚硫堇膜在酸性缓冲液中的电化学活性很高，其电化学反应过程受扩散控制，在一个完整的循环伏安扫描过程中SPR共振波长的变化完全可逆，说明聚硫堇膜的氧化反应和还原反应是一对可逆过程.与还原态聚硫堇膜相比，氧化态聚硫堇膜对应的SPR共振波长较大，说明氧化态聚硫堇膜折射率高