Ag:InP/ZnSe纳米晶的合成与生物成像

摘要 采用高温热注入法，以P[N（CH3）2]3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag：InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的结构和光学性质进行了表征，并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度，发现当Ag掺杂量为6%，反应温度为200℃时，Ag：InP纳米晶的发光效率最高.将制备的Ag：InP的表面包覆ZnSe，粒子的荧光效率从原来的20%提高到45%.将具有近红外荧光的Ag：InP/ZnSe纳米晶应用于细胞成像，结果表明制备的荧光纳米晶在细胞成像中清晰可见且毒性较低