一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能. 随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数. 本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法. 本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区Id-Vgs曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的