ti掺杂sm09sr01alo3陶瓷的结构及电性能

？？基于有机凝胶法分别在空气和还原气氛(75％ar／25％h2)下制备了sm09sr01al09ti01o3钙钛矿结构陶瓷,使用x射线衍射、扫描电子显微镜和交流复阻抗等技术对样品进行了表征,研究了制备气氛、测量气氛以及ti掺杂对材料结构特征和电性能的影响．结果表明:ti对al的取代导致晶格常数增大,同时还明显提高了陶瓷体的致密度;还原气氛下制备的sm09sr01al09ti01o3陶瓷由于晶粒发育不充分,其致密度相对于空气中制备的样品有所降低,该陶瓷在还原气氛中的电导率较空气中高约2～3个数量级,比空气气氛下制备的sm09sr01al09ti01o3陶瓷在空气中的电导率高约3～4个数量级,在800℃以下高于未掺ti的sm09sr01alo3陶瓷在空气中的电导率,这些差别可以从不同体系中带电缺陷的类型及数量的变化来进行理解．