超临界co2中cs--g--pdlla的合成及其与pdlla多孔支架材料的原位构建

？首先以辛酸亚锡为催化剂,消旋丙交酯(d,l-la)与壳聚糖(cs)为原料,在超临界二氧化碳(scco2)中合成了以pdlla为基体、cs--g--pdlla共聚物为填充相的共混体系,然后通过scco2萃取/致孔技术原位构建了cs--g--pdlla/pdlla多孔支架材料。对共聚物的结构与性能、pdlla的分子量进行了表征,对多孔支架的结构形态进行观察,并对支架材料的孔隙率进行测定。结果表明,以scco2为反应介质,成功合成了pdlla均聚物和cs--g--pdlla共聚物，同时,通过改变原料比、反应温度和时间能在一定程度上调控共聚物的组成与pdlla的分子量以及产率。cs--g--pdlla/pdlla多孔支架材料的孔洞分布均匀,孔洞连通性较好,孔内壁具有非常独特的长沟壑形微观结构,且cs--g--pdlla填充相与pdlla基体的相容性良好;减压速率和处理温度对多孔支架的结构形态有一定影响。