制备工艺对inp/sio2纳米膜性能的影响

？应用射频磁控共溅射方法，分别在inp薄片与磁控靶底座紧接触（方法1）和inp薄片放在石英靶表面（方法2）两种情况下制备了inp/sio2复合薄膜，并分别在高纯h2中和在p气氛中对薄膜进行了热处理。x射线光电子能谱表明，对于用方法1制备的复合膜，其sio2中的氧缺位、p和in的氧化物的含量都比用方法2的少得多。x射线和卢瑟福背散射实验结果表明，在p气氛下的高温（520℃）热处理，可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的inp/sio2纳米颗粒复合薄膜。复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关。较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理。