单温区管式炉气相输运生长nbse2超导单晶

化学气相输运（cvt）生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运，并成功生长出了nbse2单晶。运用扫描电子显微镜，x射线衍射仪等方法对制备的nbse2单晶进行了形貌和结构的表征，并测量了低温下nbse2单晶的磁化率和电阻性质。结果表明，实验上生长出来的nbse2单晶具有金属光泽，晶体尺寸约为2mm×2mm，超导转变温度和转变宽度分别为7.1k和0.3k，超导体积分数约为79%。因此，单温区管式炉生长晶体的方法也可用于其他功能材料单晶的制备。