施主掺杂batio_3陶瓷的正电子湮没和顺磁共振研究

？本文用正电子湮没和电子顺磁共振相结合的方法对施主掺杂batio_3陶瓷的缺陷进行了研究。正电子湮没寿命测量说明与ba/ti=1的样品相比ba过量或ti过量都会引起材料中的空位增加。顺磁共振图谱表明,g=1.997峰的强度在铁电相变为顺电相后,强度有很大的增长(约20倍)。该峰强度随ba/ti的变化与正电子捕获率随ba/ti的变化相同。因此该峰是由阳离子空位(v_(ba)和v_(ti))引起的。它实质上是由o~-产生的,随施主掺量的增加g=1.997峰急剧增强,这很可能是由于施主增加引起v_(ti)大量生成的缘故。