烧结氮化硅陶瓷的显微结构

？通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧结ｓｉ３ｎ４－ｍｇｏ－ｃｅｏ２陶瓷的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ｍｇｏ在烧结过程中会自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ｍｇｏ，当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次ｓｉ３ｎ４晶粒，从而使烧结ｓｉ３ｎ４陶瓷材料的性能下降。并观察到了其中的亚晶粒、晶界及位错等微观结构。