聚合膜/无机膜异质结电致发光机理研究

？针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料zno∶zn与空穴型聚合物材料pddopv[poly(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene)]成功制备了结构为ito/pddopv/zno∶zn/al的异质结双层器件。异质结器件的发光效率与单层器件p的发光效率的比值在电压为8v时达到最高值38.6倍,此时异质结器件的亮度是器件p的19.4倍,异质结的电流是单层器件的0.5倍。结果表明,zno∶zn薄膜的插入,确实能够起到输运电子和阻挡空穴从而降低器件电流水平,提高器件发光效率的作用。而且,聚合物膜/无机膜异质结器件的发光颜色是随着电压的增加而蓝移的。研究认为有可能是形成了新的发光基团。