电子束蒸发沉积tio_2薄膜结构及光学性能的研究

？研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在k9玻璃上tio2薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明,基片温度是影响薄膜光学常数的主要因素,制备tio2薄膜的最佳工艺参数为:基片温度300℃,工作真空2×10-2pa,沉积速率0.2nm/s。采用最佳工艺沉积在透明基片上的tio2薄膜在可见光区具有良好的透过特性,同时也得出了薄膜的光学带隙能eg=3.77ev。sem观察结果表明薄膜为柱状纤维结构,柱状纤维的直径在100～150nm之间