添加铋的氧化钆掺氧化铈对电子导电率影响

？利用共沉法制备的ce0.8(gd1-xbix)0.2o1.9,对于其结构、热膨胀和离子导电率进行研究。ce0.8(gd1-xbix)0.2o1.9在1350―1450℃范围内持温6h进行烧结,ce0.8(gd1-xbix)0.2o1.9块材密度皆高于95%理论密度,可发现ce0.8(gd0.5bi0.5)0.2o1.9有最大的离子导电率σ800℃=0.078s/cm且有最小的活化能ea=0.638ev。以共沉法制备添加铋的氧化钆掺杂氧化铈可降低烧结温度。ce0.8(gd1-xbix)0.2o1.9的热膨胀系数分布在(20.132―20.478)×10-6/℃之间。致密的ce0.8(gd1-xbix)0.2o1.9其破裂韧性在1.28―2.60mpa.m1/2之间,且破裂韧性的值会随着铋的含量增加而提高。说明藉由添加铋可改善氧化钆掺杂氧化铈的机械性质。