aln薄膜的制备与绝缘性能研究

？利用射频反应磁控溅射在(100)si衬底上沉积了aln薄膜。通过afm,xps,c-v及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(rta)对薄膜性能的影响。通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13―15mv/cm,薄膜的相对介电常数为4.22,xps测试与分析表明薄膜中不含al单质,且al2p的75.1ev的峰值表明薄膜表面已被部分氧化;薄膜的退火分析表明1000℃左右的退火温度有利于提高薄膜的抗电性能。