mgxzn1-xo陶瓷靶材的制备

？采用传统的常压固相烧结方法制备了mgzno陶瓷靶材，研究了mgo掺杂量及烧结温度对mgzno陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过xrd测定靶材相结构，sem观察靶材的断面形貌，万能实验机测量靶材的抗弯强度，维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度，阿基米德排水法测量靶材密度等方法对mgzno靶材的性能进行了分析表征。结果表明，当掺杂量为12%、烧结温度为1450℃时所制备的陶瓷靶材最优，其各项性能均表现良好，抗弯强度为94.56mpa，维氏硬度为250.70hv0.3，相对密度为96.65%，并在最佳条件下制备出mgo摩尔掺杂比为12%的mgzno陶瓷靶材，采用射频磁控溅射方法，于室温条件下在石英衬底上制备了mgzno透明薄膜，利用xrd、紫外可见分光光度计等测试手段，测量薄膜的结晶性能、光学性能，制备出的薄膜结晶性能良好，薄膜在可见光区域具有较高的透过率，平均都超过80%，适用于tft的有源层。