fto/glass基底上制备的bifeo3薄膜及其铁电和介电性质研究

？采用溶胶？凝胶法在氟掺杂sno2/glass基底上制备了bifeo3薄膜，薄膜的退火温度在500～600　°c。xrd衍射结果表明bifeo3薄膜结晶良好，没有杂相。剖面扫描电镜结果表明薄膜的厚度为600nm。铁电性测试表明在500°c退火的bfo薄膜有饱和电滞回线，其剩余极化强度为59.94μc/cm2。当退火温度在550°c和600°c时，由于漏电流较大使得电滞回线不饱和。在较高温度退火处理时薄膜表现出较大的介电常数和介电损耗。