射频磁控溅射高饱和磁化强度fe-n薄膜

？？？？？？用射频磁控溅射法分别在具有20nmfe衬底的si（100）和nacl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的fe-n薄膜.用x射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对fe-n薄膜相结构和磁性的影响.结果表明，当氮气分压为2.66x10-2pa,基片温度为100~150℃时，最有利于a"-fe16n2相的形成.在此条件下制备的fe-n薄膜的饱和磁化强度高达2.735t，超过纯fe的饱和磁化强度值.