低噪声四管像素cmos图像传感器设计与实现

？基于smic0.18μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构．通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样，可同时消除固定模式噪声和随机噪声；采用pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流．所设计像素尺寸为3.6μm×3.6μm，并将其应用于一款648×488像素阵列cmos图像传感器，经流片测试，图像传感器信噪比可达42db，在25℃下表面暗电流为25mv/s（转换成电压表示的）．所设计的四管pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构，具有较低的噪声和暗电流．