OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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低直流电压用batio3基ptcr陶瓷的改性
DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2015.06.007, PP. 35-38
Keywords: batio3,y2o3添加,保温温度,耐电压强度
Abstract:
研究y2o3添加量与低温保温温度对batio3基正温热敏电阻(ptcr)陶瓷性能的影响。采用固相法制备batio3基ptcr陶瓷。采用x线衍射仪(xrd)、扫描电子显微镜(sem)分析陶瓷的相组成及微观形貌。结果表明:低温保温温度为1045℃,y2o3的添加量(摩尔分数)为0.26%时,陶瓷的温度系数α为0.116℃-1,升阻比lg(ρmax/ρrt)为4.1,耐电压强度(e)为76v/mm。当低温保温温度升至1090℃时,其耐电压强度升至126v/mm。
References
[1] | 梁云鹤,蒲永平,王瑾菲,等.batio3基ptc陶瓷的研究现状及展望[j].中国陶瓷,2007,43(11):17-19.
|
[2] | 祝炳和,姚尧,赵梅瑜,等.ptc陶瓷制造工艺与性质[m].上海:上海大学出版社,2001.
|
[3] | 李永峰.低电阻率高耐电压钛酸钡基ptcr陶瓷材料的研究与制备[d].西安:西北大学,2006.
|
[4] | 郑占申,曲远方,李晓雷,等.ni,mn加入量及工艺对ptcr复合材料的性能影响[j].复合材料学报,2006,23(5):39-43.
|
[5] | liyy,ligr,wangtb,etal.effectsofniobiumdopingonthestructureandelectricalpropertiesof(ba,bi,na)tio3-basedptcrceramics[j].journalofinorganicmaterials,2009,24(2):374-378.
|
[6] | 丁士文,潘彬,啜艳明,等.液相y、nb共掺杂batio3基ptc陶瓷的制备与性能[j].人工晶体学报,2011,40(4):978-982.
|
[7] | mukherjeen,rosemanrd.sinteringbehaviorandptcrpropertiesofstoichiometricblendbatio3[j].journalofphysicsandchemistryofsolids,2002,63:631-638.
|
[8] | danialsj,wernicker.newaspectsofanimprovedptcmodes[j].philipsresearchreports,1976,31(6):544-559.
|
[9] | danialsj,härdtlkh,henningsd,etal.defectchemistryandelectricalconductivityofdopedbariumtitanateceramics[j].philipsresearchreports,1976,31(5):487-559.
|
[10] | 周东祥.半导体陶瓷及应用[m].武汉:华中理工大学出版社,1991.
|
[11] | 张端明,张新宇,彭芳明,等.金属-ptc陶瓷复合材料制备工艺及机理的研究[j].无机材料学报,1995,10(2):248-252.
|
[12] | 李晓雷,曲远方,马卫兵,等.ni/ptcr陶瓷复合材料的显微结构与再氧化效果[j].材料工程,2004(12):21-24.
|
[13] | 汪伟,沈春英,丘泰.烧成工艺对低压用batio3基ptcr陶瓷性能的影响[j].人工晶体学报,2013,42(1):84-87.
|
[14] | brahemr,rahmounih,farhatn,etal.electricalpropertiesofsn-dopedba0.75sr0.25ti0.95o3perovskite[j].ceramicsinternational,2014,40(7):9355-9360.
|
[15] | hiranos,kishimotoa.effectofheatingrateonpositive-temperature-coefficient-of-resistivitybehaviorofconductivecompositethinfilms[j].appliedphysicsletters,1998,73(25):3742-3744.
|
[16] | 周勇辉,徐国跃,周斌,等.降温过程对batio3陶瓷本征ptc效应的影响[j].电子元件与材料,2006,25(3):40-42.
|
[17] | 蒲永平,陈小龙,杨文虎,等.la-mn共掺杂的钛酸钡陶瓷还原再氧化研究[j].人工晶体学报,2009,38(4):934-937.
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