用tem研究改性钛酸铅陶瓷电畴的结晶学特性

用透射电镜(tem)和选区电子衍射(saed)技术，研究了sm和mn改性钛酸铅压电陶瓷的电畴的结晶学特性。结果表明，改性pbtio3压电陶瓷中存在大量的电畴界面，畴界面为｛101｝，畴界两侧晶体的c轴夹角取决于晶胞参数(a和c)，约为86.4°，而不是90°。这种电畴的［100］晶带选区电子衍射图特征为：［011］方向衍射斑点开裂，而［011－］上衍射斑点重合，不开裂，据此可识别90°畴界和180°畴界