石墨烯线缺陷的电子valley滤波特性的数值模拟研究

基于紧束缚近似哈密顿模型，运用波包动力学方法，数值模拟研究了石墨烯电子穿越线缺陷的输运性质和相应的透射率，着重探讨线缺陷对于电子valley赝自旋的滤波特性。模拟结果表明：1）石墨烯线缺陷对于电子valley赝自旋具有半透性；2）电子的透射率与入射角度和能量都有关；3）在某个临界角度，透射率出现峰值，其大小随着能量的增加而增大，而的绝对值却随能量的增加而减小。4）当入射角大于时，透射率将急剧地降为0。进一步的理论分析指出，这是由于透射率能量关系中的非线性项所造成的。最后，我们的数值模拟结果进一步地证明了石墨烯线缺陷未来作为valley赝自旋滤波器件的实用可能性。