超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征

研究了以正硅酸乙酯(teos)和甲基三乙氧基硅烷(mesi(oet)3)为混合硅源，十六烷基三甲基溴化铵(ctab)为模板剂，采取旋涂技术，在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜，再经过正硅酸乙酯(teos)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂，制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用ftir、xrd和sem对样品进行了结构表征，并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数(k)，纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15d后，介电常数