不同形貌inxga1-xn纳米材料的制备及发光性能研究

采用常压化学气相沉积法(apcvd)，分别以金属镓(ga)，铟(in)和氨气(nh3)为镓源，铟源和氮源，在si衬底上利用催化剂au成功合成了不同形貌的inxga1-xn纳米材料。利用x射线衍射仪(xrd)、扫描电子显微镜(sem)，x射线光电子能谱(xps)和光致发光谱(pl)对比研究了inxga1-xn(x=0，0.25)纳米材料在形貌，化学成分，晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明：当没有催化剂时，所生成的inxga1-xn样品形貌由片状结构自组装成花状结构，而在催化剂au的作用下，生成的inxga1-xn纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的“塔”状结构；虽然在催化剂au的作用下生成的inxga1-xn(x=0.25)形貌发生了很大变化，但晶体结构未发生改变，均为六方纤锌矿结构；pl分析结果显示inxga1-xn纳米结构的发光性能随着in含量的增加，发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区，在催化剂au的作用下生成的inxga1-xn的发光强度最强。最后对不同形貌inxga1-xn其生长机理做简单分析。