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无机化学学报 2011
水热沉积电压对zrsio4抗氧化涂层显微结构及抗氧化性能的影响, PP. 1931-1937 Keywords: 硅酸锆,水热电泳沉积,碳/碳复合材料,沉积电压,氧化 Abstract: 以硅酸锆粉体为原料,异丙醇为溶剂,碘为荷电介质,采用水热电泳沉积法在c/c-sic复合材料基体表面制备了硅酸锆外涂层。通过x射线衍射(xrd)、扫描电子显微镜(sem)对涂层的晶相结构和微观形貌进行表征。研究了水热电泳沉积电压对涂层的显微结构及高温抗氧化性能的影响,并分析了涂层试样在1773k下静态空气中的氧化行为。结果表明:电泳沉积电压在160~200v范围内,复合涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着沉积电压的升高而提高。但沉积电压过高(220v),复合涂层中出现微裂纹等缺陷,此时涂层的抗氧化性能下降。沉积电压控制在200v时所制备的复合涂层可在1773k静态空气中有效保护c/c复合材料332h,氧化失重率仅为0.2%,相应的氧化失重速率稳定在48.3μg·cm-2·h-1的极低水平。
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