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无机化学学报 2015
聚苯胺类/n-si(111)单晶硅复合电极:制备与光电性质, PP. 2257-2264 Keywords: 半导体,表面化学,薄膜,合成设计,电化学 Abstract: 在过氧化月桂酰作用下,于n-si(111)型单晶硅表面上分别嫁接苯胺及烷基取代苯胺,进而实现晶体硅表面上聚苯胺和烷基取代聚苯胺的原位聚合,制备得到了系列聚苯胺(或烷基取代聚苯胺)/n-si(111)单晶硅复合电极。此外,对上述合成电极表面苯胺链进行磺化,得到系列磺酸基化的单晶硅复合电极。电化学研究结果显示,聚苯胺直接嫁接于晶体硅表面所得到的复合电极光电转化效率最高,苯胺聚合链通过碳碳双键桥连于单晶硅表面所得到复合电极的光电转化效率高于通过碳碳单键桥连得到的复合电极,但其光电转化效率低于苯胺聚合链直接桥连于晶体硅表面而得到的复合电极。另外发现,苯环磺酸基化有利于提高复合电极的光电转化效率。
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