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ISSN: 2333-9721
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sinh/sinh-(n=3~8)的结构和电子亲合能的研究

, PP. 805-809

Keywords: 硅氢化物,分子结构,电子亲合能,密度泛函理论

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Abstract:

选用四种不同的密度泛函理论方法(b3lyp,b3p86,blyp,bp86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(dzp++)下,对sinh/sinh-(n=3~8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能。预测si3h/si3h-,si4h/si4h-,si

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