ru掺杂sno2半导体固溶体的电子结构研究

运用基于密度泛函理论的第一性原理方法，建立了sno2以及不同比例ru掺杂的sno2超胞模型，在对其进行几何优化后计算了sn1-xruxo2(x=0，1/16，1/12，1/8，1/6，1/4，1/2)半导体的电子结构，并讨论了其晶格参数、电荷密度、能带结构和态密度(包括分态密度)等性质。结果表明，掺杂后，晶格参数随掺杂量的增加线性减小，与实验值的偏差在4%以内；掺杂后，在费米能级处可以提供更多的填充电子，使得电子跃迁至导带更容易，固溶体的导电性增强。为sn1-xruxo2固溶体电极材料的发展和应用提供了理论基础。