温度对aacvd法制备azo透明导电薄膜的影响

低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的al掺杂zno薄膜(azo)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(aacvd)技术在玻璃衬底上制备了azo透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用x射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结果表明:在aacvd法生长azo薄膜的过程中,衬底温度对azo薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃。讨论了温度对aacvd法制备azo透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制。400℃时沉积的azo薄膜方阻190ω/□,平均透过率为80%。