tio2纳米管阵列制备及其电化学嵌锂性能研究

本文研究了tio2纳米管阵列制备及其嵌锂电化学性能。采用阳极氧化法制备了tio2纳米管阵列。利用xrd、sem、恒电流充放电、cv、eis等手段，对所制备tio2纳米管阵列的结构、形貌进行了分析表征及电化学性能测试。实验结果表明，制备出的tio2纳米管阵列薄膜具有很好的循环性能，首次嵌锂容量达73.3μah·cm-2，100次循环后容量仍维持在65.5μah·cm-2，容量保持率为89.4%，库仑效率达95%以上；锂离子在tio2纳米管阵列中的扩散系数为7.7×10-9cm2·s-1，嵌锂表观活化能为58.4kj·mol-1。