n型bi2te3-ysey温差电材料薄膜的电化学制备及表征

采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了bi2te3-ysey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系，考察了不同沉积电位对电沉积bi2te3-ysey薄膜的温差电性能的影响，并采用esem、eds、xrd等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明，在含有bi3+、hteo2+和se4+的电沉积溶液中，采用电化学沉积的方法，可实现铋、碲、硒三元共沉积，生成bi2te3-ysey半导体化合物。改变电沉积溶液组成，可控制bi2te3-ysey化合物中硒的掺杂浓度。-0.04v沉积电位下制备的bi2te3-ysey薄膜较平整、致密，组成为bi2te2.7se0.3。退火处理可提高电沉积bi2te3-ysey薄膜的塞贝克系数，且控制沉积电位为-0.04v下制备的bi2te3-ysey薄膜退火后的塞贝克系数为-123μv·k-1。