bi4(ti1/3sn2/3)3o12掺杂batio3基x8r陶瓷微观结构与介电性能(英文)

研究了bi4(ti1/3sn2/3)3o12掺杂对钛酸钡基陶瓷微观结构和介电性能影响。结果表明，掺杂bi4(ti1/3sn2/3)3o12后钛酸钡基陶瓷晶粒明显长大，同时烧结温度可由1280℃降低至1180℃。系统的介电性能和bi4(ti1/3sn2/3)3o12的掺杂量有密切关系。当bi4(ti1/3sn2/3)3o12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%，体系的居里峰被明显压低和展宽，当掺杂量为2mol%时居里峰变得不明显。当bi4(ti1/3sn2/3)3o12的掺杂量从0.5mol%增加到2mol%，系统的居里温度由131℃升高至139℃。当bi4(ti1/3sn2/3)3o12的掺杂量为1mol%时，钛酸钡基陶瓷介电常数为1930，介电常数温度变化率为5%(-55℃)，13%(134℃)，-8%(150℃)，满足x8r标准。