聚碳硅烷热解sic陶瓷结构与微波吸收性能

以聚碳硅烷(pcs)为原料，通过800~1200℃热解制备了pcs-sic陶瓷，采用sem、xrd与拉曼光谱对样品形貌、晶相及自由碳结构进行了表征。测量了样品直流电导率，并用矩形波导法测试了试样在8.2~12.4ghz(x波段)频率范围的复介电常数，根据传输线理论计算出不同厚度材料的反射损耗。结果表明，随着热解温度的升高，样品电导率升高，同时复介电常数实部与虚部增加，吸波性能得到改善。pcs-sic陶瓷中自由碳石墨化是引起极化能力及电导损耗提高的原因。