两步法制备cigs薄膜的工艺研究

本文主要研究了“预制层硒化法”制备铜铟镓硒(cigs)薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备in、cu-ga金属预制层，然后进行硒化(450℃)以及退火处理(550℃)。sem结果表明，在室温下溅射沉积in薄膜，并且采用mo/cu-ga/in/cu-ga/in的叠层顺序，可以获得平整致密的cigs薄膜。xrd和sem测量显示，以单质硒作为硒源，在450℃的硒化之后生成分离的cis和cgs相，惰性氛围的高温退火可以使分离的cis和cgs相互融合，形成均一化的cigs四元化合物。在此基础上，最终完成的cigs电池光电转换效率为7.5%。