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无机化学学报 2008
简捷微波合成多角星形氧化锌, PP. 495-498 Abstract: zno为直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度达到3.37ev,束缚激子结合能高达60mev,可广泛用于光电器件[1,2]、表面声波器件[3]、场发射材料[4]、传感器[5]、紫外激光器[6]及太阳能电池[7]等.由于结构形貌与材料的性能和应用相关,zno纳米材料形貌控制一直是该材料研究领域的热点[8].由zno纳米棒和纳米线组成一定规则的聚集体,可以构筑特殊的纳米功能材料和纳米器件,已引起人们的高度关注.
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